为什么我们需要高纯度半绝缘碳化硅晶片？
我们可供应具有定制厚度的半绝缘 4H-SiC 衬底片以及提供晶片切割服务，如：
1）180+/-25 um 厚的半绝缘 4H-SiC （0001）
2）330um 厚 4H-SiC 半绝缘晶片，切割为 5*5mm、10*10mm、15*15mm 或 20*20mm
当碳化硅晶片用作射频器件的衬底时，要求碳化硅应具有半绝缘性，其电阻率应大于 106Ω·cm。 事实上，碳化硅半导体材料的电阻率很高，但是由于杂质及缺陷等因素，碳化硅晶片的电阻率会有所下降。
半绝缘碳化硅有两种类型，一种是掺杂半绝缘，即进一步引入杂质钒进行补偿；另一种则是高纯半绝缘，即通过碳化硅自身的深受主能级与浅施主能级补偿实现的。与高纯半绝缘碳化硅相比，掺钒半绝缘碳化硅有以下缺点：
1）背栅效应：当器件尺寸小到一定程度时，无钒区实际上是导电的，导致器件不绝缘；
2）高温失效：当器件温度达到1000℃时，衬底会变得导电。
因此，虽然掺钒半绝缘碳化硅衬底能够满足器件性能需求，但在某些应用中，仍然需要高纯半绝缘碳化硅衬底。
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