外延石墨烯用半绝缘型 SiC 衬底
可供应用于石墨烯外延生长的半绝缘型 SiC（碳化硅）衬底。在高纯度半绝缘 SiC 衬底上外延生长石墨烯有望生产出高性能石墨烯集成电路，应用于微波领域。对于石墨烯生长应用，我们提供的半绝缘型 SiC 晶片满足以下技术要求：
1. 外延石墨烯用 SiC 技术要求
1) 直径为 100 mm 的半绝缘SiC晶片，具有最小晶体缺陷，MPD<5/cm2；
2) 100% 高纯度单晶 4H-SiC 正晶向（0001），无意掺杂；
3) 表面取向平行于（0001）晶面，在 0.10 度内；
4) SiC（0001）衬底，外延级表面抛光；
5) 晶片弯曲度小于 25um。
2. 电子级石墨烯在 SiC 衬底上的外延生长
外延法是生长石墨烯薄膜的常用的方法之一，根据衬底材料的不同可分为 SiC 外延生长与金属催化外延生长。由于 SiC 衬底的特性，它可以在 Si 平面或 C 平面上生长。SiC 外延法简单可控，其形成机理如下：
研究表明，在氩气（Ar）环境下加热 SiC 衬底片的 C（0001）表面或 Si（0001）表面至一定温度。SiC 表面蒸发出的Si原子和Ar原子会发生一定的碰撞，而Si原子会回到 SiC 表面，使得 SiC 衬底表面 Si 原子的转化速率降低，石墨烯Z轴的生长速度减慢。但反应炉内的温度得到了相应的提高，进而 C 原子的活性得到了提高，使得石墨烯的径向生长速度提高，SiC 衬底表面上的 C 原子充分重组，最终获得高质量和大尺寸的石墨烯薄膜。
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