锑化铟（InSb）的市场发展

锑化铟（InSb）的市场发展

       锑化铟(InSb)具有熔点最低、带隙窄、载流子迁移率高、结构完善性好等特点，是三五半导体化合物中一种特殊化合物。这些特性有利于锑化铟作为光电子器件和3-5 um范围红外探测器的元素基的广泛应用。基于InSb的光电探测器阵列具有较高的均匀性，包含大量的工作单元，与基于HgCdTe (MCT)的类似器件相比价格更低。这些优点使InSb成为制造大型中红外阵列的关键材料。厦门中芯晶研可提供InSb材料用于制作光电子探测器。图1是显示了不同材料制作的光电探测器阵列的销售情况，从图1可以看出，锑化铟的市场占有率(48%)远高于其他光电探测器材料：

图1：基于不同材料制作的光电探测器阵列销售图表(数据来源：Maxtech International)

       高灵敏度远距离热视觉系统的关键结构元件是基于锑化铟材料的光电探测器阵列。这些装置的工作原理是将物体的热辐射转化为可见图像，即掩蔽物或隐藏物的热量释放使其可见。近年来，热视觉系统渗透到各个领域的程度越来越深，使其应用领域得到了极大的扩展。

图2：热视觉系统的应用领域 (数据来源：Yole)

       与其他三五化合物相比，以InSb材料为基础的光电器件设计推动了锑化铟研发的主要趋势。用于全光学图像高分辨率识别的光电探测器阵列的制造和提高器件成品率的需要，对工艺中使用的单晶的直径、结构的完美性和电物理性质的均匀性提出了新的要求。

关于InSb晶圆抛光

       我们采用国产化自主配制的抛光液进行抛光。抛光过程中，通过对抛光压力、抛光盘转速、摩擦力、抛光液流量等关键参数进行控制以获得高质量的InSb抛光片。目前，我们InSb晶片抛光能力可以达到以下标准：

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       锑化铟单晶片InSb

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       陈经理

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