锑化物二类超晶格外延片

        镓砷锑（GaAsSb）的晶格常数与磷化铟（InP）衬底的晶格常数完全匹配，因此易于在InP衬底上外延生长，具有良好的均匀性。可供锑化物（GaAsSb/InGaAs）二类超晶格外延片，具体结构如下：

1. InP基锑化物二类超晶格外延结构

注：

• 非故意掺杂InGaAs是n型，MBE技术生长的i-InGaAs的背景浓度远低于MOCVD技术生长的。如果您需要较低的载流子浓度，我们将通过掺杂Be来补偿i-InGaAs；
• 非故意掺杂的GaAsSb是p型，MBE技术外延的i-InGaAs的背景浓度远低于MOCVD的背景浓度，并且通过掺杂Si可以容易地实现较低的背景浓度。

2. Be掺杂对InGaAs/GaAsSb外延层性能的影响

        光伏探测器吸收区中的载流子浓度与探测器的性能之间存在直接关系。吸收区中的载流子浓度决定了少数载流子的寿命和扩散长度，从而影响了探测器的量子效率和探测率。在InGaAs/GaAsSb 二类超晶格探测器中，超晶格被用作吸收区，并且本征超晶格中的背景载流子是n型导电的，这意味着探测器的少数载流子是空穴，并且空穴的扩散。该长度小于电子的扩散长度。如果吸收区中的少数载流子是电子，则可以增加少数载流子的扩散长度。因此，我们使用p型Be来补偿超晶格材料，并研究了不同Be掺杂温度与InGaAs/GaAsSb量子阱性能之间的关系，发现锑化物超晶格的掺杂浓度对Be温度敏感。

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