Si 基 GaN PIN 光电探测器结构
GaN 及其合金材料，如 AlN、AlGaN、InGaN 和 InN，具有带隙大、光谱范围宽、耐高温和电子饱和漂移速度快等性质，在光电应用和微电子应用有重要价值。GaN 材料体系已被证实非常适合用于制作紫外波长的光电探测器。我们可提供硅基 GaN PIN 结构光电探测器外延片，具体结构如下仅供参考：
1. Si 基 GaN 外延结构
| 外延层 | 厚度 |
| p GaN | 0.1~0.3um |
| i- GaN | – |
| n GaN | – |
| u GaN | – |
| (Al, Ga)N 缓冲层 | – |
| AlN | – |
| Si衬底 | – |
2. PIN 结构 GaN 光电探测器的优势与应用
PIN 结构 GaN 光电探测器具有以下优势：
1）高响应速度：PIN 结构 GaN 光电探测器具有较高的响应速度，能够快速地检测光信号的变化；
2）低暗电流：PIN 结构 GaN光电探测器的暗电流较低，因而在不照射光的情况下，能够提高检测的灵敏度；
3）调整本征层的厚度以调整其量子效率和工作速度：PIN 结构 GaN 光电探测器的本征层厚度可以通过工艺调整，从而优化器件的量子效率和工作速度；
4）器件可以在低偏压下或者零偏压下工作：PIN 结构 GaN 光电探测器可以在较低的偏压下工作，从而降低了功耗和噪声。
GaN 材料优异的物理化学特性使得 GaN 光电探测器在环境监测、生物检测、光通信、图像传感等领域具有重要应用。
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