SiC半导体材料应用在数据中心
作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅（SiC）半导体材料比其他半导体材料（如传统的硅）具有更大的能量差，这使其具有更高的热学和电子学性能。这使得SiC半导体晶片成为高功率、高温和高频应用中的明星。事实上，与硅半导体相比，SiC 的介电击穿强度高出 10 倍，能带隙高出 3 倍，热导率高出 3 倍。厦门中芯晶研可以提供碳化硅衬底片与外延片，请点击 https://www.cswafer.com/product-category/tanhuaguidanjingpiansic/ 获取更多产品内容。
随着越来越多的组织进行数字化转型，数据中心在各种规模和垂直领域的企业中的作用只会越来越大。这些数据中心充当各种任务关键型数据的核心系统。
根据国际能源署统计，全球 1% 的电力消耗在数据中心。这种能源消耗的最大驱动因素之一是用于保持这些数据中心冷却的电力，空调和风扇系统需要一年 365 天、每天 24 小时运行。
如果有一种材料具有更高的热效率，能够在不牺牲性能的情况下以更低的温度运行。这种材料是碳化硅。使用他们的 SiC 基器件的电源具有热性能改进，可节省多达 40% 的冷却能源成本。此外，随着功率密度的提高，使用 SiC 组件的数据中心可以在更小的空间内安装更多的设备。
这些数据中心的另一个组件是不间断电源 (UPS)，它有助于确保系统即使在停电的情况下也能保持正常运行。碳化硅衬底因其可靠性、效率以及以低损耗提供清洁电力的能力而在 UPS 设计中占有一席之地。
当 UPS 采用直流电并将其转换为交流电时，会出现损耗。碳化硅半导体材料有助于减少这些损耗，增加 UPS 容量。基于sic的器件能够降低高达70%的功率损耗，并且在不受负载影响的情况下，效率值可达98.6%以上。此外，半导体SiC基UPS能够在更高的温度下工作，具有更好的散热值。总之，SiC基UPS比Si基的组件的等效型号更高效、更轻、更小。
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陈经理