碳化硅单晶片SiC

碳化硅单晶片SiC

硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料,但与碳化硅(SiC)晶片相比,则显得效率低下。碳化硅晶片现在已开始被多种应用采纳,特别是电动汽车,以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战. 碳化硅晶片由纯硅和碳组成,与硅相比具有三大优势:更高的临界雪崩击穿场强、更大的导热系数和更宽的禁带。碳化硅晶片具有3电子伏特(eV)的宽禁带,可以承受比硅大8倍的电压梯度而不会发生雪崩击穿。禁带越宽,在高温下的漏电流就越小,效率也越高。而导热系数越大,电流密度就越高。SiC衬底具有更高的电场强度,因而可以使用更薄的基础结构,其厚度可能仅为硅外延层的十分之一。此外,SiC的掺杂浓度比硅高2倍,因此器件的表面电阻降低了,传导损耗也显著减少。厦门中芯晶研可提供2”,3”,4”,6”碳化硅单晶片。

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碳化硅单晶片SiC

碳化硅单晶片SiC

 

碳化硅(SiC)是含有硅和碳的半导体。它在自然界中作为极为稀有的矿物质硅藻土出现。自1893年以来,合成SiC粉末已经大量生产用作磨料。碳化硅颗粒可以通过烧结粘合在一起,形成非常坚硬的陶瓷,广泛用于需要高耐久性的应用中,例如汽车制动器,汽车离合器和防弹背心中的陶瓷板。早期无线电中的碳化硅(例如发光二极管(LED)和探测器)的电子应用首先在1907年左右展示.SiC用于在高温或高电压或两者下工作的半导体电子器件中。可以通过Lely方法生长大的碳化硅单晶,并且可以将它们切割成称为合成莫桑石的宝石。具有高表面积的SiC可以由植物材料中包含的SiO 2生产.