赝调制掺杂异质结场效应晶体管GaAs砷化镓外延片 (pHEMT GaAs Epitaxy)
GaAs外延片是人脸识别芯片、手机及基站等射频芯片研发生产的重要部分。我司提供pHEMT GaAs外延片及定制服务。我们外延片的电子迁移率、表面缺点密度、外延材料不均匀性、二维电子气浓度等核心指标，均达到或优于国际 GaAs 巨头企业同类产品指标水平。大致规格参数请见下表：
1. GaAs pHEMT外延参数
| 尺寸 | 2~6 寸 |
| 外延化合物 | GaAs, AlGaAs, InGaAs , AlGaAs, InAs |
| 掺杂 | N型掺杂、P型掺杂 |
| 组分均匀性 | >99% |
| 二维电子气浓度 | >5E12/cm2 |
| 迁 移 率 | >6500cm2/V.s |
2. 关于AlGaAs/InGaAs/ GaAs pHEMT外延结构
以n+-AlxGa1-xAs/i-InGaAs/i–GaAs pHEMT外延异质结构为例：采用未掺杂的i–InGaAs层作为沟道层，相应的能带配置状况如下图所示。由于InGaAs的禁带宽度较窄，则在异质结n+-AlxGa1-xAs/i-InGaAs界面处形成的势阱深度（ΔEc）较大，所以这时可以适当降低n+-AlxGa1-xAs控制层的组分x（使得x<0.2），以避免出现DX中心。当x=0.15时，可得到ΔEc≈0.3eV。由此可见，采用n+-AlxGa1-xAs/i-InGaAs这种调制掺杂异质结，可消除DX中心的影响，使得器件性能稳定而良好。
n+-AlxGa1-xAs/i-InGaAs/i–GaAs pHEMT外延异质能带配置状况
3. 关于赝调制掺杂异质结场效应晶体管 (pHEMT)
pHEMT 是高电子迁移率晶体管(HEMT)的一种改进结构,又称赝调制掺杂异质结场效应晶体管(PMODFET)。pHEMT 中的 2-DEG 要比一个普通 HEMT 中的受到多一些的限制(有势阱两边的双重发展限制因素作用),从而具有更高的电子面密度，约高2倍。此外，该结构的电子迁移率也比较高，使其性能更加优越。总而言之， pHEMT 是具有双异质结的结构。与普通HEMT结构的器件相比，GaAs pHEMT外延器件具有更大的电流处理能力以及低噪声、更大的输出电阻、高跨导、高工作频率、低功耗等。