蓝光氮化镓激光（LD）外延片
可供应 440~460nm 蓝光激光外延片，该晶片是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延技术在蓝宝石或硅衬底上外延生长 InGaN/GaN 量子阱材料，具体列举了硅基氮化镓激光外延结构以供参考：
1. 硅基氮化镓激光外延结构
| 外延层 | 厚度 |
| p GaN | – |
| p GaN | – |
| p AlGaN | – |
| 无掺 InGaN | – |
| InGaN/GaN量子阱 | – |
| n InGaN | – |
| n AlGaN | 1.4um |
| Si衬底 | – |
2. 氮化镓激光外延片应用
基于 GaN 外延片制备的激光器主要有以下应用场景：
- 激光显示：包含激光电视和激光投影。GaN 激光显示技术能够实现任意曲面的投影；
- 激光照明与指示：激光照明有蓝光激光器激发荧光粉实现白光照明，更容易聚焦，实现更远距离的照射，在体育场馆、景观照明等领域广泛应用。激光指示主要应用在仪器仪表、激光笔、测距仪等器件中；
- 激光打印与生物检测：GaN 激光器波长较短，获取的衍射限制光斑更小，提高打印的分辨率
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