InSb（锑化铟）外延生长服务

        InSb（锑化铟）作为一种III-V族二元化合物半导体材料，具有稳定的物理化学性能和优异的工艺兼容性。InSb具有非常窄的带隙、非常小的电子有效质量和非常高的电子迁移率。InSb在3~5um的光谱范围内是本征吸收，具有近100%的量子效率，是制备中波红外探测器的首选材料。使用MOCVD（金属有机化合物化学气相沉积）或MBE（分子束外延）法在InSb衬底上外延InSb、InAlSb、InAsSb和其他薄膜，不仅可以制备PIN结构或其他更复杂的结构，而且可以在生长过程中对材料进行一定比例的原位掺杂，以提高器件的整体性能。可供InSb外延生长服务，列举如下外延结构仅供参考：

1. InSb外延结构

2. InSb外延研究进展

        通过MBE法外延InSb衬底的表面状态对InSb薄膜的晶体质量有很大影响，并且在外延之前必须去除表面氧化物层。去除表面氧化物的有效方法是在InSb衬底释放到MBE系统中之前对其进行湿化学处理，在衬底表面形成更薄、分解温度更低的氧化物层。

        此外，影响MBE法InSb晶圆外延工艺的最重要因素是生长温度和V/III束流比：

        1）生长温度是影响分子束外延材料晶体质量的最重要因素之一。温度影响不同元素的粘附系数、生长速率、背景杂质密度、掺杂情况、表面形貌以及不同外延层之间的界面。当衬底温度过高时，很容易引起外延薄膜的化学比的偏差，导致内部沉淀并形成缺陷。此外，它还影响外延膜的电学性能；当生长温度过低时，导致表层形貌恶化，外延膜表面容易形成Hill缺陷。因此，优化生长温度是InSb外延技术发展的关键步骤之一。有文献报道，使用（001）取向朝向（2111）B的InSb衬底不仅可以降低生长温度，还可以防止Hill缺陷的形成，从而生长具有更好电性能的InSb外延薄膜。

        2）V/III束流比至关重要，不同的束流比对MBE锑化铟外延生长的表面形貌有显著影响。由于Sb和In原子在衬底表面的粘附系数和迁移速率不同，影响了InSb表面的原子排列，从而影响了表面原子的重组，最终影响了外延薄膜的成核。因此，为了获得高质量的外延薄膜，有必要选择一个优化的V/III束流比。

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