InGaP/GaAs外延片

        含磷的III-V族化合物是毫米波和亚毫米波器件和电路、光电子器件和太阳能电池的优选材料。晶格与砷化镓（GaAs）匹配的铟镓磷（InGaP）化合物在室温下具有1.9eV的直接带隙，是一种高效的发光材料。可供金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的GaAs/InGaP半导体外延晶片，用于开发更好、更可靠的HEMT、pHEMT和HBT器件，以及制备太空应用的高效太阳能电池等。列举以下GaAs/InGaP半导体外延结构仅供参考：

1. InGaP外延片规格

2. InGaP/GaAs半导体材料的优越性

        GaInP是III-V化合物中价带不连续性最大的材料，具有许多独特的优点，如：

        1）InGaP/GaAs异质结的价带偏移量大于导带偏移量，这比 AlGaAs/GaAs 异质材料的能带结构更有利，且InGaP禁带宽度较大，不易与氧反应，表面复合小；

        2）GaInP/GaAs的选择性蚀刻率高，GaAs和GaInP的选择性蚀刻比大于200，因而器件的加工工艺易操作、易控制，器件的重复性和成品率可以得到大幅提高；

        3）它不含铝，也没有DX中心。此外，InGaP/GaAs系统结合了InP基磷化物和GaAs基化合物的优点，提高了器件的可靠性，是新材料研发和工业化的理想材料体系。

3. InGaP半导体的应用

        GaAs和InGaP之间可以实现良好的选择性腐蚀，提高了器件的成品率。与常见的半导体Si和GaAs相比，GaInP具有更高的电子速度，可用于高功率和高频电子器件，如HEMT、pHEMT和HBT结构，也可制备高效太阳能电池。此外，与铝镓铟磷（AlGaInP）合金结合能够制备具有橙红色、橙色、黄色和绿色的高亮度发光二极管。

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