InGaAs/InP 应变量子阱外延片
InGaAs 与 InP 衬底晶格匹配，基于标准 InGaAs/InP 量子阱外延片的探测器响应的波长范围可达 900nm~1700nm。当 In 组分达到 0.83 时，响应的波长范围可延伸至 2600nm，满足空间遥感的应用需求。我们能够提供 InGaAs/InP 应变量子阱外延片用于制作响应波长在 1600nm~2000nm 内的探测器，具体请参考如下结构：
1. InGaAs/InP 应变量子阱探测器外延结构
| 外延层 | 厚度 |
| InP | – |
| InGaAs | – |
| InP | – |
| 应变 InGaAs | – |
| InP | 100nm |
| InGaAs | – |
| InP | – |
| InGaAs | – |
| 半绝缘 InP | – |
2. InGaAs/InP 应变量子阱技术
InGaAs/InP 量子阱作为半导体激光器中使用广泛的有源材料之一，其内部具有量子化的子带和阶跃态密度，这一特性将大大提高激光器的温度稳定性与阈值电流密度。通过调整势阱宽度和势垒高度，使量子化能量区间达到应用需求，实现 InGaAs/InP 应变量子阱基激光器的可调谐特性。
一般来说，InGaAs 外延片中引入压缩应变会加剧能带函数的变化，降低激光器阈值电流；而引入拉伸应变，能带函数将趋于平缓，在一定程度上提高激光器在高功率下的增益。InGaAs/InP 应变量子阱技术的出现使得通过调节应变来获得所需的能带结构并提高增益成为可能。
更多产品信息或疑问请邮件咨询：vp@honestgroup.cn