InGaAs/InP 太阳能电池外延片
可供 InGaAs/InP 外延片用于制备太阳能电池，具体列举如下外延结构供参考：
1. InGaAs 太阳能电池外延片结构
结构1
| 外延层 | 厚度 |
| p++ InGaAs | – |
| p+ AlInAs | – |
| p+ InGaAs | – |
| 无掺 InGaAs | – |
| n+ AlInAs | 50nm |
| n++ InP 衬底 | – |
结构2
| 外延层 | 厚度 |
| p++ InGaAs | – |
| p+ AlInAs | 50nm |
| p+ InGaAs | – |
| n++ InP 衬底 | – |
2. InGaAs 在太阳能电池中的应用
半导体太阳能电池是利用光伏效应，通过半导体材料将太阳能转化为直流电能的装置。当前，商用半导体太阳能电池主要有晶体硅太阳能电池和半导体化合物太阳能电池这两大类。其中，InGaAs 材料是典型的三元砷化物半导体材料，其带隙可随In组分的调整而调整。砷化镓带隙最大可调整为1.424eV，砷化铟最小可达0.356eV。所以铟镓砷材料带隙调节范围较宽，可以满足热光伏电池所需的带隙要求。
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