InGaAs 激光外延片
厦门中芯晶研可提供 InGaAs 激光外延片。InGaAs/GaAs 半导体材料的激射波长覆盖了 GaAs 和 InP 材料系统之间的能隙范围（880~1100nm），是光电子器件应用研究的热点之一。具体以950nm 激光外延结构为例：
1. InGaAs/GaAs 激光外延结构
| 外延层材料 | 厚度 |
| GaAs | – |
| AlGaAs | – |
| InGaAs（925~935nm） | – |
| AlGaAs | – |
| GaAs衬底 | 305um |
2. InGaAs/GaAs 外延结构的特性
暗线缺陷在 GaAs 量子阱激光器中具有高生长率，但在 InGaAs 量子阱激光器中会受到抑制。其主要原因是，In 原子大于 Ga、Al 和 As 原子使得缺陷的传播受到阻碍，并起到位错阻断的作用。与 AlGaAs/GaAs 激光器相比，InGaAs激光器具有更好的性能：
1）辐射与非辐射复合释放的能量少；
2）InGaAs/GaAs 界面的非辐射复合中心比 AlGaAs/GaAs 界面少；
3）GaAs 衬底对 900nm 以上的波长是透明的，因此降低了有复合增强而引起的缺陷反应（如扩散、离解和湮灭）的速率；
4）它还可通过调节In组分和量子阱的宽度将激光的波长扩展到 800~1100nm；
5）外延层应变引起导带的不连续性增加导致俄歇复合减小，使得基于 InGaAs/GaAs 的激光器件能够在较高温度下工作。
更多产品信息请邮件咨询：vp@honestgroup.cn