InGaAs 光电探测器外延片
可供光电探测器用的 InP 基 InGaAs 外延片。1.3um~1.55um 长波长的光电探测器一般采用 InGaAs/InP 材料进行生长。InGaAs 可以与 InP 材料的晶格可以实现完全匹配，因此可以在 InP 衬底上生长高质量的外延层。具体的 InGaAs 光电探测器外延结构请参考下表：
1. InGaAs/InP 光电探测器外延结构
| 外延材料 | 厚度 |
| InP | – |
| InGaAs | – |
| InP | 500nm |
| InP | – |
2. 关于 InGaAs/InP 异质结光电探测器结构
上述结构中，我们采用 InGaAs 作为吸收层，在其上方生长的 InP 层为宽带隙材料，对波长为1.31um 和 1.55um 的光透明，光生载流子仅在 InGaAs 材料中产生，这样避免了产生和扩散光产生的少数载流子。外延结构设计中最重要的就是吸收层的设计。它必须有足够的厚度以保证高响应率和相对小的结电容，且须尽可能薄以缩短载流子的跃迁时间来提高 InGaAs 光电探测器的响应带宽。
根据所需 InGaAs 光电探测器的特性和波长，我们可以调整外延层结构设计，增加生长空间电荷区、帽层等来控制漂移、扩散和载流子复合以及防止表面电流泄漏。
InGaAs 材料波长吸收效率
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