耗尽型（D-mode）硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）外延片
氮化镓材料比硅和碳化硅具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，所制备的功率器件具有更好的传导和开关性能。可供耗尽型（D-mode）硅基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管(HEMT)外延片，具体结构如下：
1. 耗尽型硅基氮化镓高电子迁移率晶体管外延结构
1.1 氮化镓外延片参数
| 直径 | 2、4、6、8英寸 |
| AlGaN/GaN HEMT外延结构 | 参见1.2 |
| 载流子浓度 | >9E12 cm2 |
| 霍尔迁移率 | / |
| 电阻率 | / |
| 5x5um2 AFM RMS | <0.25nm |
| 弯曲度 | <=30um |
| 边缘排除区域 | <5mm |
| SiN 钝化层 | 0~5nm |
| u-GaN帽层 | 2nm |
| Al组分 | 20~30% |
| AlGaN 势垒层 | / |
| GaN沟道 | / |
| AlGaN缓冲层 | / |
| AlN | / |
| 衬底材料 | 硅 |
| 衬底厚度 | 675um (2英寸), 1000um (4英寸), 1300um (6英寸), 1500um (8英寸) |
1.2 硅基氮化镓外延结构示意图
2. 什么是耗尽型氮化镓高电子迁移率晶体管？
在硅外延氮化镓高电子迁移率晶体管晶体管中，由于晶体的极性，铝镓氮和氮化镓材料之间的界面会形成一层高迁移率电子，即“二维电子气（2DEG）”，在氮化镓功率器件的源极和漏极之间形成了一个通道。这个通道使得氮化镓晶体管具有固有的常开特性，也就是耗尽型器件。
其工作方式为：当栅源电压为零时，漏极与源极之间已存在二维电子气通道，器件导通。当电压低于零时，漏极与源极二维电子气通道断开，器件截止。
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