锑化铟衬底及外延片
我们公司可提供外延级（epi-ready）锑化铟衬底以及锑化铟外延片。单晶锑化铟（InSb）是用于制造电子元件的主要半导体之一，在固态电子学的广泛应用领域，即光电子学中。锑化铟材料用于制造在 3-5 毫米波长范围内工作的线性和阵列光电池，这些光电池用作热视觉系统中的光敏元件。而热视觉系统广泛应用于多个经济领域（医学、材料科学、环境污染监测等）。此外，InSb焦平面阵列用于安装在机载导航和精确瞄准系统、防空红外跟踪头、海洋红外探测器和无人驾驶飞机中的特殊用途设备。目前，锑化铟用于具有快速响应和低功耗的场效应晶体管，这对数字设备很重要。以在阳极氧化铝的规则孔中开发具有各种金属化触点的锑化铟纳米线阵列正在进行研究，可用于制造太赫兹范围的电磁发生器。
1. 关于 Epi-ready 锑化铟衬底
研制高质量的衬底技术是锑化物光电器件发展的先决条件。锑化铟的一个重要特性是其极度脆性，这会使晶体的任何化学机械处理复杂化，导致裂纹和最终破坏。对于大直径晶体，这个问题更加严重。它源于晶体生长和随后的冷却过程中引起的热弹性应力。因而，我司深入学习锑化物材料的各种物理、机械性能，自主研发研磨抛光技术，实现表面洁净度可控性和稳定性，使得衬底可实现高质量的外延生长，从而提高产品良率。
2. 关于锑化铟外延片
目前国际和国内市场的主要产品是用于合成复杂同质和异质外延结构抛光外延片。锑化铟外延层通常生长在 (100) 或 (111) 取向的晶片上。单晶在[111]方向上的生长会引起边缘效应（沿整个晶体的通道状中心晶区的电性能不均匀）。为了避免这种影响，锑化铟单晶早先在 [211] 方向上生长，并且在 (111) 方向以 19 弧度角和 59 弧度角从单晶切割所需的取向晶片(100) 方向。然而，在 [100] 晶体学方向上生长锑化铟单晶在经济上更有利，除此以外，它还确保了单晶结构完整。
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陈经理