GaSb（锑化镓）衬底
可供外延级P型和N型GaSb（锑化镓）单晶衬底，其迁移率最小值可达到200 cm2/V.s，最大值可达到3500 cm2/V.s。GaSb衬底主要参数如下：
1. 锑化镓衬底主要参数
| 产品 | 尺寸 | 掺杂 | 导电类型 | 载流子浓度（cm-3） | 迁移率 (cm2/V.s) |
位错密度(cm-2) |
| GaSb | Φ2″×0.5mm | 非掺 | P | (1-2)*1017 | 600-700 | <1*104 |
| Φ3″×0.5mm | ||||||
| Φ2″×0.5mm | Zn | P | (5-100)*1017 | 200-500 | <1*104 | |
| Φ3″×0.5mm | ||||||
| Φ2″×0.5mm | Te | N | (1-20)´1017 | 2000~3500 | <1*104 | |
| Φ3″×0.5mm | ||||||
| 注：表面粗糙度≤5a；单面或双面抛光 | ||||||
2. 锑化镓材料物理参数
GaSb衬底属于III-V化合物半导体，是一种直接带隙材料。在300K下，GaSb禁带宽度为0.725eV，晶格常数为0.60959nm。
锑化镓材料的原子序数为3.53 x 1022 / cm3。在[100]平面上，Ga原子和Sb原子依次分布；在这个平面上，Ga原子和Sb原子的数量相同，但它们很容易被离解。GaSb晶体的[111]平面可以完全由Ga原子组成，或者完全由Sb原子组成。
GaSb单晶结构
3. 锑化镓半导体材料的开发与应用
GaSb的带隙覆盖了光谱波长从0.8μm至4.3μm，范围较宽，与三元和四元III-V基固溶材料（如InGaAsSb和AlGaSb）的晶格常数相匹配。利用Gasb衬底材料做外延片生长的基底，对上述固溶材料进行外延生长，可以有效减少晶格失配引起的应力、缺陷等问题，在红外探测和激光领域具有良好的发展前景。
对于GaSb衬底应用，以GaSb为基底开发的二级超晶格结构红外探测器具有优异的性能，在中红外波段有重要的应用，如生产多用途红外探测器和火灾报警和环境污染检测传感器。GaSb衬底也可制备2-5um波段的发光器件，用于光通信、光激光、光敏检测等各种工程领域。
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