GaAs单晶衬底用于二次谐波产生（SHG）实验 *E

        GaAs（砷化镓）在立方点群Td（^–43m）中结晶，该立方点群为闪锌矿结构。镓Ga+3和砷As−3原子分别位于面心立方（FCC）晶格上，且这些晶格沿着[111]轴移动，是非中心对称结构。其非中心对称晶体结构和巨大的非线性光学系数对于各种非线性光子应用极具吸引力。GaAs是一种典型且经常被用于研究二次谐波产生的材料。可供GaAs单晶衬底用于二次谐波产生实验研究，具体参数如下仅供参考：

1. GaAs单晶衬底参数

2. 什么是二次谐波产生（SHG）?

        二次谐波产生（SHG），也称为倍频，是发生在各种系统中的最低阶波动非线性相互作用，包括光学、无线电、大气和磁流体动力学系统。作为波的原型行为，二次谐波被广泛使用，例如，在加倍激光频率方面。二次谐波产生最初被发现是一种非线性光学过程，在这个过程中，两个频率相同的光子与一种非线性材料相互作用，产生一个能量是初始光子的两倍（相当于频率的两倍和波长的一半）的新光子，从而保持激发的相干性。这是和频生成（2个光子）的特殊情况，更普遍地说是谐波生成。

        介质的二阶非线性磁化率表征了其引起二次谐波产生的趋势。与其他偶数阶非线性光学现象一样，在具有反转对称性的介质中（在主导电偶极子贡献中）不允许产生二次谐波。然而，当两能级系统以与其跃迁频率相当的拉比频率驱动时，发现了Bloch–Siegert位移（振荡）等效应，这将在中心对称系统中产生二次谐波。此外，在属于晶体学点群432的非中心对称晶体中，SHG是不可能的，并且在Kleinman条件下，422和622点群中的SHG应该消失，尽管存在一些例外。

        二次谐波产生的效应可应用于超短脉冲测量、二次谐波显微镜、晶体材料表征等。

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注：出口该产品需要出口许可证；国内供应不受影响