GaAs PIN 二极管外延片
厦门中芯晶研可供 GaAs 外延片用于制作 PIN 二极管，可应用在具有高隔离和低损耗的功率电子器件（如宽带开关）中。与同质结二极管晶片结构相比，异质结外延片能够提高半导体微波器件的性能。具体外延结构请参见下表：
1. AlGaAs/GaAs PIN 二极管外延结构
| 外延层 | 厚度 |
| n- GaAs | – |
| i- GaAs | 100nm |
| p- GaAs | – |
| p- AlGaAs | – |
| GaAs衬底 | – |
2. AlGaAs/GaAs 外延结构的特性
AlGaAs/GaAs 异质结构产生的能带差可以有效降低二极管的导通电阻，从而在不改变隔离的情况下降低插入损耗。研究表明，与等效 GaAs PIN 结构相比，其回波损耗、插入损耗和 P-1dB 指数均有所提高。
利用量子阱、超晶格、异质结等结构特性制备 GaAs 半导体材料，促进了 GaAs PIN 光电二极管的射频性能的改善。基于 GaAs PIN 半导体材料的开关电路和控制电路具有导通电阻低、结电容小、带宽宽、易于集成等特点，已广泛应用于毫米波开关电路中。
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