GaAs Photocathode (光电阴极) 外延片
供应GaAs photocathode (光电阴极) 外延片，具体外延结构请参考下方表格所列：
1. GaAs 光电阴极外延结构
| 外延层 | 厚度 |
| p AlGaAs | – |
| p AlGaAs | – |
| p GaAs | – |
| p AlGaAs | – |
| n GaAs衬底 | 450±25 um |
2. AlGaAs/GaAs/AlGaAs 光电阴极外延
AlGaAs/GaAs/AlGaAs 光电阴极外延是一种常见的光电阴极材料外延结构，是微光学增强器的重要材料，通常由 MBE 或 MOCVD 等方法制备。GaAs 作为光电发射层，两侧的 AlGaAs 层则起到收集电子和阻挡反射的作用，并且 AlGaAs 和 GaAs 具有较高的光电导性和低暗流密度。这种结构可以增加光生载流子的收集效率和减小暗电流密度，进而提高光电阴极器件的灵敏度和稳定性。
GaAs 光电阴极外延材料在真空光电探测成像器件和真空电子源领域具有广泛应用，如制备光电倍增管、条纹变像管、微光像增强器、直流型光注入器、极化电子源等器件。其中，基于 GaAs 光电阴极材料制成的探测器单元可以快速响应近红外光，广泛应用于微光夜视领域。
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