GaAs MESFET 异质外延生长
供应 GaAs 外延片用于制作 MESFET 器件，具体异质外延结构如下：
1. GaAs MESFET 外延生长
| 外延层 | 厚度 |
| GaAs | 0.05um |
| InGaP | – |
| GaAs | – |
| GaAs, AlGaAs缓冲层 | – |
| GaAs衬底 | – |
2. 关于 MESFET
MESFET 即金属半导体场效应晶体管，是由肖特基势垒栅极构成的场效应晶体管，是一种类似于 JFET（结型场效应晶体管）的器件。
GaAs 是制作 MESFET 的主要材料之一。在半绝缘 GaAs 衬底上生长一层 n 型 GaAs 以降低寄生电阻。通过蒸发源极和漏极的欧姆接触在 n 型外延层顶部形成肖特基势垒。金属半导体接触工艺使得 MESFET 的沟道更短，有利于提高器件的开关速度和工作频率。
GaAs 基 MESFET 器件在微波领域中具有重要应用，尤其是在该领域的功放、开关方面占据着主导地位。
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