GaAs LED（发光二极管）外延片
厦门中芯晶研可提供正极性结构与反极性结构砷化镓（GaAs）外延片用于制备红、橙、黄光发光二极管。目前，我们的LED外延片主要采用MOCVD工艺在GaAs衬底上生长AlGaAs三元或AlGaInP四元系外延层结构。我们也提供定制外延生长服务，更多材料体系请参见下表：
1. GaAs LED外延材料体系
| 材料体系 | 应用领域 | 用途 |
| GaAs/GaAs | 民用产业 | 家电、电子产业机械、遥控及光耦合器、光断路器 |
| GaAlAs/GaAs | ||
| GaAsP/GaAs（红） | 民用产业 | 家电、光电子设备显示、广告牌、汽车尾灯、传真用光源及信号 |
| GaAlAs/GaAs（高亮度红） | ||
| InGaAlP/GaAs（高亮度橙黄） |
2. 为什么GaAs半导体材料可以用于制备LED等光电子器件？
GaAs能够用来制作光电器件主要得益于其具有双能谷结构能带，又属于直接带隙材料。
一方面，GaAs导带最小值与价带最大值位于k=0处，这使得其电子发生跃迁时可直接从导带底到达价带顶，且跃迁过程中只有能量需要改变。这一性质使得GaAs在制备光电器件方面极具优势。
另一方面，当一个电子从高能量导带跃迁至低能量价带时，过剩的能量会以光子的形式释放。此外，当GaAs受到光照射，此时价带中的电子会从外界获得能量从而加剧振动，能量到达一定程度时，电子便会跃迁到导带。
这些性质使得GaAs半导体材料能满足集成光电子的需要，广泛应用于光电器件（如LED）的制备。
GaAs能带结构图
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