GaAs HEMT外延材料

        砷化铝镓（AlGaAs）材料作为III-V化合物半导体的典型代表，由于其载流子迁移率高、组成可调、晶格与GaAs相似，得到了广泛的研究和应用。典型的应用之一是使用GaAs/AlGaAs异质结构生长的分子束外延来调制掺杂的二维电子气材料。基于高质量二维电子气结构的高速微电子器件（HEMT、PHEMT），如高电子迁移率晶体管，广泛应用于超高速、超高频、低噪声的微波和毫米波器件中。可供GaAs HEMT外延材料，具体结构如下：

1. GaAs HEMT外延片结构

注：@300K：迁移率> 5000cm²/V.s, Ns>4.0E11 
@77K：迁移率> 150,000-190,000 cm²/V.s, Ns>4.0E11

2. 红外干涉测量GaAs HEMT外延层厚度

        利用红外干涉方法可以测量GaAs HEMT外延层的厚度，该方法适用于厚度大于2μm的情况。GaAs衬底材料的电阻率需小于0.02Ω·cm，而外延层的电阻率应大于0.1Ω·cm的要求。

        由于GaAs衬底材料和外延层的光学常数存在显著差异，当红外光照射到GaAs HEMT外延表面时，反射光谱中会出现干涉条纹。通过分析干涉条纹的最大或最小波长位置、衬底和外延层的光学常数以及光束角度，可以计算出各外延层的厚度。

        进行GaAs HEMT外延片的测试需要使用双光束红外分光光度计或傅立叶红外光谱仪，波长范围为2.5μm～50μm或波数范围为4000 cm^-1～200 cm^-1。仪器的波长和波长重复性误差应控制在≤0.05μm以内，10μm处的光谱分辨率应达到0.02μm或更高。此外，仪器还需要配备反光附件，并且其视角不应超过30°。为了调整仪器性能，还需配备由黑体材料制成的具有不同孔径的隔膜。

        GaAs基HEMT外延晶片样品需要具备良好的光学表面，并且不能有大面积的钝化层。此外，衬底的导电类型、外延层和衬底的电阻率也应是已知的。

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