单晶碳化硅切片

        可供导电型与半绝缘型半导体碳化硅单晶切片，具体规格如下：

1. 碳化硅衬底切片规格

2. 碳化硅晶锭如何切片？

        碳化硅切片工艺技术有固结、游离磨料切片、激光切片、冷分离和电火花切片等。其中，往复式金刚石固结磨料多线切割是最常用的切割碳化硅的加工技术。

        碳化硅切片质量会影响后续减薄和抛光的加工水平。切片容易在衬底表面和呀表面产生裂纹，增加晶片的碎片率和制造成本。而且，控制碳化硅晶片的表面裂纹损伤对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重要意义。因此，我们需要控制碳化硅晶体切片的质量。下面具体分析了影响锯切切片的因素，并提出了对应的解决措施。

3. 影响锯切碳化硅切片的因素

        影响碳化硅切片质量的因素主要为：

        1）锯切工艺参数；

        2）固结磨粒的尺寸；

        3）工件的进给运动；

        4）锯线速度控制不当。

        所有这些因素都可能在晶锭切割中造成碳化硅切片表面裂纹损伤。

        此外，切片过程中，晶体方向敏感容易导致晶片产生脆性裂纹。

4. 如何提高碳化硅切片质量？

        碳化硅晶体一般在 (0001) 面进行生长，沿着晶体生长方向的晶面进行切割，可以有效降低切片表面的位错密度，提高切片质量。因而，切片之前，需要对晶体取向进行检测。

        其次，切片时，降低进给量和进给力可以减小磨粒的法向压应力；提高锯线速度可以减小磨粒的切向压应力；一定范围内减少锯线和镀层之间的磨损和脱落磨粒（要综合考虑锯线的损伤程度和锯切效率）。

        切片过程中，还应保持足够和均匀的冷却液，以减少残余热应力和锯线振动引起磨料应力场的不稳定。

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