超辐射发光二极管（SLD）外延片
可供 850nm GaAs 外延片用于超辐射发光二极管（又称超发光二极管，SLD），具体外延结构如下：
1. 超辐射发光二极管外延片结构
| 外延材料 | 厚度 |
| p+ GaAs | – |
| p- AlGaAs和无掺AlGaAs | – |
| 无掺GaAsP 或 AlGaInAs有源层 | PL：850+-15nm |
| 无掺AlGaAs和n- AlGaAs | – |
| GaAs缓冲层 | – |
| GaAs衬底 | – |
2. 关于超辐射发光二极管
超辐射发光二极管是一种新型光源，具有激光二极管（LD）一样产生高辐射亮度和输出功率的特性，也像发光二极管（LED）一样具有宽发射光谱。SLD 器件结构与 LD 器件结构类似，包含一个 p-n 结和一个光波导。具体参见如下对比图：
LD、SLD、LED 的区别
SLD 器件可应用在光学相干断层扫描，用于眼角膜和视网膜诊断、生物研究等。其高度空间定向输出特性使得该器件适用于测量光纤和其他光学元件的色散、温度/应变光纤传感应用、光纤陀螺仪等。
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