提升沉浸感：碳化硅镜片在AR中的应用
提升沉浸感：碳化硅镜片在AR中的应用 在增强现实（AR）技术日益发展的背景下，AR镜片的光学性能直接影响用户体验和沉浸感。传统的玻璃材料在重量、耐用性和光学性能等几个方面都存在局限性，...
低温AlN/蓝宝石上AlN氢化物气相外延薄膜中的深陷阱 *
低温AlN/蓝宝石上AlN氢化物气相外延薄膜中的深陷阱 * 1. 摘要 本研究检查了c面Al极性AlN外延层深陷阱状态，该外延层通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）法沉积在蓝宝石基2...
4H-SiC在不同毫米波频率、温度和湿度下的正常和异常介电常数 *
4H-SiC在不同毫米波频率、温度和湿度下的正常和异常介电常数 * 1. 概述 4H-SiC 等六方系半导体具有重要的高频、大功率和高温应用。这些应用需要准确了解这些半导体 c 轴垂直...
InGaAsP/InP基半导体光放大器（SOA）外延片 *S
InGaAsP/InP基半导体光放大器（SOA）外延片 *S 半导体光放大器（SOA）基于半导体芯片，由GaAs/AlGaAs、InP/AlGaAs、InP/InGaAsP和InP/A...
GaSe 与石墨烯外延耦合：从原位能带工程到光子传感（4H-SiC）*
GaSe 与石墨烯外延耦合：从原位能带工程到光子传感（4H-SiC）* 1. 概述 2D半导体可以推动量子科学和技术的进步。然而，它们应该没有任何污染；此外，相邻层的晶体有序性和耦合性...
InGaAs/InP基单光子雪崩二极管（SPAD）外延片 *S
InGaAs/InP基单光子雪崩二极管（SPAD）外延片 *S 对于近红外中的单光子探测，主要的候选者是具有单独吸收、分级、电荷和倍增结构的III-V族异质结构器件，如InGaAs/I...
InAs电子雪崩光电二极管：红外探测与光通信的理想选择 *S
InAs电子雪崩光电二极管：红外探测与光通信的理想选择 *S 砷化铟（InAs）是用于红外雪崩光电二极管（APD）的半导体材料之一。在短波红外波长下，基于InAs的雪崩光电二极管由于其...
通过多金属等离激元AgAuCu纳米粒子的热电子激发来突破能带间阈值限制用于紫外光探测器应用 （GaN/Sapphire）*
通过多金属等离激元AgAuCu纳米粒子的热电子激发来突破能带间阈值限制用于紫外光探测器应用（GaN/Sapphire）* 1. 摘要 由多种元素组成的多金属合金纳米粒子（NPs）能够突...
使用聚焦 X 射线束和实验室测试表征新型磷化铟（InP）垫探测器 *
使用聚焦 X 射线束和实验室测试表征新型磷化铟（InP）垫探测器 * 1. 概述 未来高能物理实验中的跟踪系统将需要具有低辐射长度的大型仪器区域。晶体硅传感器在跟踪系统中已经使用了几十...
β相氧化镓（β-Ga2O3）单晶衬底
β相氧化镓（β-Ga2O3）单晶衬底 氧化镓（Ga2O3）作为一种超宽带隙（UWBG）半导体材料受到了极大的关注。在过去的十年中，Ga2O3主要应用于电力电子、太阳盲紫外（UV）光电探...