半绝缘碳化硅抛光片
碳化硅单晶切片表面具有缺陷不能直接用于外延，因此需要对碳化硅切片进行化学机械抛光，以提高晶片质量。可供应半绝缘半导体碳化硅抛光片，具体以 3 英寸半绝缘碳化硅衬底抛光片规格为例：
1. 碳化硅抛光片规格
| 编号 | 尺寸/类型 | 晶向 | 厚度 | 级别 | 微管密度 | 表面处理 | 可用面积 |
| S4H-76-SI-SIC-350-A | 3” 4H半绝缘 | 0°/4°±0.5° | 350±25um | 工业级 | <10/cm2 | 双面抛光 | >90% |
| S4H-76-SI-SIC-350-B | 3” 4H半绝缘 | 0°/4°±0.5° | 350±25um | 研究级 | <30/cm2 | 双面抛光 | >85% |
| S4H-76-SI-SIC-350-D | 3” 4H半绝缘 | 0°/4°±0.5° | 350±25um | 测试级 | <100/cm2 | 双面抛光 | >75% |
碳化硅单晶抛光片用途：用于制作半导体照明、电力电子器件
2. 碳化硅抛光片加工流程
纯机械抛光使碳化硅衬底表面产生划痕，纯化学抛光会产生不均匀腐蚀，而碳化硅化学机械抛光可以生产出高质量和有竞争力的晶片。因而，化学机械抛光适用于精抛。化学机械抛光的工作原理：待抛光的碳化硅晶片在一定的压力下在旋转的抛光垫上作相对运动，通过化学腐蚀和机械磨削的相互作用，以去除表面划痕，实现晶片表面平坦化。
碳化硅典型化学机械抛光如下：
第一步，机械抛光：使用直径0.5um的金刚石抛光液将表面粗糙度抛光至0.7nm；
第二步，化学机械抛光：抛光压力、主板转速、陶瓷盘转速、抛光液成分、抛光液流量等这些参数可调，应针对晶片和抛光机进行选择：
可用的机械抛光液：SiO2、Al2O3、二氧化铈
可用的化学抛光液：高锰酸钾、双氧水、Pt催化剂、Fe催化剂
可用的抛光垫：尼龙、聚氨酯
酸碱性：KOH、HNO3
机械作用：压力、转速、位置、时间、温度
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