半绝缘碳化硅半导体晶片

        碳化硅是一种由硅和碳组成的半导体化合物，属于宽带隙材料。其物理键非常牢固，这赋予了碳化硅半导体较高的机械、化学和热稳定性。宽带隙特性和高热稳定性使得碳化硅器件可以在比硅更高的结温下使用。可供双面抛光半绝缘碳化硅半导体晶片，具体以 4 寸的碳化硅半导体晶片工艺参数为例：

1. 半绝缘型半导体碳化硅晶片参数

规格1：100mm 4H 半绝缘碳化硅单晶片，C 级
类型/掺杂：半绝缘/ 钒掺或无掺
晶向：<0001>+/-0.5°

厚度：350或500 ± 25 um
MPD：＜50 cm^-2
电阻率： ≥1E5 Ω·cm
双面抛光：硅面外延级化学机械抛光；表面粗糙度：<0.5 nm

规格2：100mm 4H碳化硅半绝缘型衬底片，B级

类型/掺杂：半绝缘/ 钒掺或无掺
晶向：<0001>+/-0.5°

厚度：350或500 ± 25 um
MPD： ＜15 cm^-2
电阻率： ≥1E7 Ω·cm
双面抛光：硅面外延级化学机械抛光；表面粗糙度：<0.5 nm

半导体碳化硅晶片用途：半绝缘碳化硅主要用于制造氮化镓微波射频器件，应用在无线通讯等领域。

2. 导电型碳化硅单晶片与半绝缘型的区别

        半导体材料碳化硅晶片可分为半绝缘型碳化硅衬底与导电型衬底。导电型碳化硅单晶片与半绝缘型二者的区别如下表所列：

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