半绝缘SiC衬底用于高次谐波体声波器件（HBAR）

        碳化硅（SiC）有250多种晶型结构，其中4H-SiC单晶结构是目前市场上用得最多的晶型，主要用于制造功率半导体。可供高纯半绝缘4H-SiC衬底用于制作高次谐波体声波器件（HBAR），研究其可实现的Q因子。具体SiC衬底规格如下，仅供参考：

1. SiC衬底规格

半绝缘4H-SiC衬底：直径2~6英寸，350±25um、500±25um或其他厚度

2. SiC单晶衬底质量对外延和器件可靠性的影响

        SiC衬底片是将晶锭切成薄片，经过精细研磨和抛光工艺获得。通过抛光处理，SiC晶片的表面质量得到了显著改善，有效地抑制了外延生长过程中的缺陷，使其具有更优质的性能。此外，表面平整度、近表面位错和残余应力也成为评估SiC晶片表面质量的重要参考指标。

        为了抑制外延生长初始阶段缺陷的产生，SiC衬底材料表面必须无应力，无近面位错。如果衬底表面具有残留损伤，外延生长将造成宏观缺陷。因此，高质量的衬底对于提高外延的整体品质至关重要。

        目前，SiC衬底外延生长的标准化工艺是采用台阶控制生长技术在偏4°的4H-SiC单晶衬底上外延。采用硅烷（SiH4）、甲烷（CH4）、乙烯（C2H4）等作为反应前体气体，氮（N2）和三甲基铝（TMA）作为杂质来源。典型的生长温度范围为1500℃至1650℃，生长速率在5 μm/h至30 μm/h之间。

        通过外延生长技术可以消除晶体和晶片加工中产生的表面或近表面缺陷，使晶格排列更加有序，从而获得更好的表面形貌。此外，增加外延层的厚度、改善表面的质量，以及降低杂质的掺入浓度对于提高击穿电压至关重要。因此，改善SiC衬底的质量是提高外延材料的品质、器件制造良率、器件可靠性和使用寿命的重要途径。

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