飞秒激光诱导单晶 6H-SiC 相变 *
飞秒激光诱导单晶 6H-SiC 相变 * 1. 概述 碳化硅(SiC)因其优异的性能而被广泛应用于许多研究领域。飞秒激光已被证明是一种实现高质量、高效率SiC微加工的有效方法。本文研究...
飞秒激光诱导单晶 6H-SiC 相变 * 1. 概述 碳化硅(SiC)因其优异的性能而被广泛应用于许多研究领域。飞秒激光已被证明是一种实现高质量、高效率SiC微加工的有效方法。本文研究...
蓝光和绿光InGaN基发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的自发发射研究 可供蓝、绿光InGaN基发光二极管外延片,具体参数请联系我们的销售团队:vp@honestgroup.cn...
12MeV硅离子辐照制备InGaN/GaN多层薄膜的结构和光学特性 * 1. 概述 本文研究了硅(Si)离子辐照(12MeV高能)对InGaN/GaN薄膜结构和光学特性的影响。在1×1...
亚皮秒(sub-ps)脉冲激光剥离对 InGaN/GaN 发光二极管电学和光学性能的影响 可供InGaN/GaN发光二极管外延片用于电学和光学研究,具体规格参数请联系:vp@hone...
晶圆质量对蓝光和绿光微型发光二极管(micro-LED)芯片尺寸相关效率变化的影响 可供氮化镓(GaN)基蓝光与绿光发光二极管(LED)晶片,具体规格参数请联系我们的销售团队:vp@h...
应变和V形坑结构对氮化镓(GaN)基发光二极管性能的影响 可供蓝宝石基氮化镓(GaN)基发光二极管外延片,具体外延结构及参数信息请联系我们的销售团队:vp@honestgroup.cn...
InGaN基发光二极管(LED)的低温绝对内量子效率研究 可供InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)外延片,具体规格信息请联系销售团队:vp@honestgroup.cn 1...
具有溅射 AlN 缓冲层的铟镓氮(GaInN)基绿光发光二极管的器件性能研究 可供具有AlN缓冲层的InGaN发光二极管外延片,具体外延结构及参数信息请联系我们的销售团队:vp@hon...
不同铟(In)含量和不同阱宽的InGaN/GaN基蓝光发光二极管(LED)的电致发光特性 可供InGaN/GaN多量子阱基发光二极管(LED)外延片,具体晶片信息请咨询:vp@hone...
硅基高效大功率氮化镓(GaN)绿光发光二极管(LED)的发展 可供硅基氮化镓(GaN)绿光发光二极管(LED)外延片,具体规格参数请联系:vp@honestgroup.cn ...