砷化镓（GaAs）基铝镓砷（AlGaAs）超晶格微型制冷器结构 *S
砷化镓（GaAs）基铝镓砷（AlGaAs）超晶格微型制冷器结构 *S 超晶格由两种半导体材料的周期性层构成，这些材料具有不同的电学和热学性质，其电学和热学性能与制造它的任何一种材料都有...
砷化镓（GaAs）平面掺杂势垒（PDB）二极管外延片 *S
砷化镓（GaAs）平面掺杂势垒（PDB）二极管外延片 *S 砷化镓（GaAs）凭借其高载流子迁移率以及在微波和毫米波范围内的快速响应特性而得到广泛运用。GaAs平面掺杂势垒（PDB）二...
自旋场效应晶体管（Spin-FET）外延结构 *S
自旋场效应晶体管（Spin-FET）外延结构 *S 自旋场效应晶体管（Spin Field Effect Transistor, Spin FET）是一种前沿的微电子技术。它不仅依赖于...
碳化硅中注入缺陷自旋的室温相干控制 *
碳化硅中注入缺陷自旋的室温相干控制 * 1. 概述 最近，碳化硅（SiC）中与空位相关的自旋缺陷已被证明可能适用于多功能量子界面构建和可扩展量子网络构建。研究者已经做出了重大努力，以确...
砷化铟（InAs）同质外延生长 *E
砷化铟（InAs）同质外延生长 *E 砷化铟（InAs）因其高电子迁移率、窄带隙、高载流子浓度的可行性以及在6.1 A˚晶格匹配系统（InAs、GaSb、AlSb及其合金）中进行量子工...
表面清洗对p-GaN:Cs光电阴极量子效率、寿命和表面形貌的影响 *
表面清洗对p-GaN:Cs光电阴极量子效率、寿命和表面形貌的影响 * 1. 概述 加速器科学家对具有高量子效率（QE）和长工作寿命的光电阴极有很高的要求。p-GaN作为一种新型光电阴极...
硅（Si）基氮化镓（GaN）肖特基二极管外延片 *E
硅（Si）基氮化镓（GaN）肖特基二极管外延片 *E III族氮化物是宽禁带半导体材料，其中氮化镓（GaN）作为优秀代表，在光电子和电力电子领域有着广泛的应用。特别是，AlGaN/Ga...
表面碳（C）对高量子效率铯（Cs）掺杂p-GaN光电阴极性能的影响 *
表面碳（C）对高量子效率铯（Cs）掺杂p-GaN光电阴极性能的影响 * 1. 概述 本研究展示了残留表面碳（C）对基于金属有机化学气相沉积在蓝宝石上生长的 p型氮化镓（p-GaN） 光...
InAsSb nBn红外探测器外延片 *E
InAsSb nBn红外探测器外延片 *E InAs1xSbx是一种IIIV族化合物半导体合金材料，调整Sb组分使其可在室温下覆盖3至12μm波长范围。InAsSb材料因其具备较长的载...
SiC基Al极性AlN外延薄膜
SiC基Al极性AlN外延薄膜 氮化铝（AlN）通常在硅、蓝宝石和碳化硅（SiC）衬底之上实现生长。其中，鉴于其与 AlN 所呈现出最小的晶格和热匹配状况，SiC 衬底被认定为最理想的...