GaN共振隧穿二极管（RTD）外延 *S
GaN共振隧穿二极管（RTD）外延 *S 先前大量的研究集中在AlAs/InGaAs/AlAs量子阱结构共振隧穿二极管（RTD）上。然而，当涉及到高频和高功率时，设计一个稳定可靠的太赫...
基于AlGaAs/GaAs量子阱结构的太赫兹光电单片集成研究 *
基于AlGaAs/GaAs量子阱结构的太赫兹光电单片集成研究 * 1. 概述 本工作介绍了一种单片集成太赫兹光电子（MITO）平台，该平台使用GaAs/AlGaAs量子阱（QW）结构...
4H-SiC 低增益雪崩探测器外延 *S
4H-SiC 低增益雪崩探测器外延 *S 近年来，硅基快速定时探测器在高能物理、核物理、空间探索等领域得到了广泛的应用。然而硅探测器在辐照环境下工作时往往需要复杂的低温系统，且其探测性...
飞秒激光写入SiC固体浸没透镜内单量子发射器研究 *
飞秒激光写入SiC固体浸没透镜内单量子发射器研究 * 1. 摘要 碳化硅（SiC）中的光学活性硅空位（VSi）中心充当量子比特，通过光子连接自旋。这种能力允许在自旋态内对光子信息进行编...
混合PIN肖特基（MPS）二极管外延 *S
混合PIN肖特基（MPS）二极管外延 *S 混合PiN肖特基（MPS）二极管通过将p-i-n二极管的浪涌电流鲁棒性和低反向泄漏与肖特基结构的低正向电压相结合，在单个器件中结合了肖特基和...
SiC 绝缘栅双极晶体管（IGBT）外延片
SiC 绝缘栅双极晶体管（IGBT）外延片 由于碳化硅（SiC）的优异性能，如宽带隙、大临界电场和高温耐受性，SiC基器件在高功率和高温应用中得到了广泛的研究。对于超高压应用，双极Si...
SiC厚膜外延
SiC厚膜外延 碳化硅（SiC）功率器件制造要求和耐压等级不断提高，使得SiC外延材料不断向低缺陷、厚外延方向发展。我司可供N型和P型碳化硅厚膜外延生长服务，薄膜厚度范围为30um~2...
GaN薄膜结构的水诱导表面氧化研究 *
GaN薄膜结构的水诱导表面氧化研究 * 1. 摘要 使用一种新方法彻底研究了氮化镓（GaN）和水（H2O）之间的相互作用，该方法涉及通过聚焦离子束铣削技术制造明确的纳米级GaN薄膜。电...
P型4H-SiC衬底基外延片
P型4H-SiC衬底基外延片 4H-SiC晶体的电子迁移率（室温下约950cm²/(V·s)）较空穴迁移率（约120cm²/(V·s)）具有显著优势。这一载流子传输特性差异使得N沟道绝...
He+ 离子辐照4H-SiC选定区域应变分布的无损评估 *
He+ 离子辐照4H-SiC选定区域应变分布的无损评估 * 1. 摘要 碳化硅（SiC）中的残余应变极大地影响了其物理和化学性能，从而影响了SiC基器件的性能。在此，使用电子背散射衍射...