反宇称时间对称洛伦兹动力学的实验模拟（GaN/蓝宝石）*
反宇称时间对称洛伦兹动力学的实验模拟（GaN/蓝宝石） * 1. 概述 宇称-时间 (PT) 对称性的最新实验进展引起了人们的极大兴趣。然而，与宇称-时间对称性相比，关于其对应物反宇称...
锗（Ge）衬底用于LED光源制备
锗（Ge）衬底用于LED光源制备 在过去的数十年里，研究者投入了巨大的精力，旨在扩展当前基于硅的互补金属氧化物半导体CMOS电子技术的应用领域至集成光子学。特别是，IV族材料及其器件的...
GaN（0001）上的Ag纳米结构：薄膜固态脱蜡控制的形貌演变及其光学性质 *
GaN（0001）上的Ag纳米结构：薄膜固态脱蜡控制的形貌演变及其光学性质 * 1. 概述 银（Ag）纳米结构由于其优异的表面等离子体共振特性，已经证明了在各种光电子、催化、生物医学和...
4H-SiC中温度稳定（TS）色心的应变相关光致发光线位移
4H-SiC中温度稳定（TS）色心的应变相关光致发光线位移 可供高纯半绝缘4H-SiC晶片用于色心研究，具体参数请联系我们的销售团队：vp@honestgroup.cn 1. 概述 ...
以H2O为电子供体的等离子体Au/p-GaN光催化剂非辅助高选择性气相CO2还原 *
以H2O为电子供体的等离子体Au/p-GaN光催化剂非辅助高选择性气相CO2还原 * 1. 概述 金属纳米结构中的表面等离子体共振使非平衡热电子-空穴对的产生成为可能，这作为一种在纳米...
如何测量毫米波下高纯半绝缘碳化硅晶片的介电性能？
如何测量毫米波下高纯半绝缘碳化硅晶片的介电性能？ 可供低损耗高纯半绝缘碳化硅（SiC）晶片，具体规格请参考：https://www.cswafer.com/banjueyuandanj...
Au/GaN结光电极光电化学还原和氧化中类型相关的热载流子行为 *
Au/GaN结光电极光电化学还原和氧化中类型相关的热载流子行为 * 1. 概述 等离子体金属纳米颗粒（NP）可以通过收集热载流子来有效地利用太阳能。然而，热载流子在具有相反掺杂类型的半...
He+辐照4H-SiC中的各向异性缺陷分布：应力对缺陷分布的影响 *
He+辐照4H-SiC中的各向异性缺陷分布：应力对缺陷分布的影响 * 1. 概述 六方晶α-SiC中辐照引起的各向异性膨胀会降低SiC的力学性能；然而，相关的物理机制和微观结构过程仍然...
n型4H-SiC衬底的温度相关电学性质
n型4H-SiC衬底的温度相关电学性质 1. 概述 需要高质量、低电阻率的n型（氮掺杂）单晶4H-SiC晶片来生长高质量的外延碳化硅层，用于高压功率器件的有源阻挡层。衬底的电阻构成垂直...
InGaN绿光micro-LED中的无蚀刻像素定义
InGaN绿光micro-LED中的无蚀刻像素定义 可供InGaN基micro-LED外延片，具体规格参数请联系我们的销售团队：vp@honestgroup.cn 1. 概述 ...