磷化镓（GaP）衬底

磷化镓（GaP）是一种间接带隙为2.26eV（300K）的化合物半导体材料。其多晶材料具有浅橙色碎片的外观。未掺杂的单晶磷化镓看起来是透明的橙色，而由于自由载流子吸收，强掺杂晶片看起来更暗。硫（S）或碲（Te）常用作n型GaP的掺杂剂，而锌（Zn)被用作p型半导体的掺杂剂。可供GaP衬底片，具体规格请见下表：

1. 磷化镓晶片规格

Material	GaP
Growth method	LEC
Diameter	50.6±0.3mm
Thickness	200±25um
Conduct type	S-C-N
Dopant	S
Grade	A
Orientation	(111)A 0°±0.2
Orientation angle	N/A
OF location/length	EJ[0-1-1]/16±1mm
IF location/length	EJ[0-1 1]/7±1mm
Ingot CC	1E17~1E18/cm³
Resistivity	0.01~0.5Ω.cm
Mobility	min: 100/cm²/v.s
EPD	Ave:*/cm2
Edge rounding	0.250mmR
TTV/TIR	≤10um
BOW	≤10um
Warp	≤10um
Surface finish-front	polished
Surface finish-back	polished
Lamellar twin area	/
Particle count	N/A
Laser marking	N/A
Epi-ready	Yes

2. 磷化镓光学性质

在1.03–6.01eV的能量范围内获得的GaP光学特性值对于GaP应用（如光电子器件、电子和光子器件的设计）至关重要。研究人员从理论上研究了GaP在1.03eV–6.01eV能量范围内的光学性质，具体如下：

1）折射率：在3.65eV时，折射率最大值为5.50。在3.65～6.01eV的能量范围内，折射率随光子能量的增加而减小。折射率的这种降低表明GaP显示出正常的色散行为。

图1 磷化镓（GaP）的折射率

2）介电常数：复介电常数的实部在3.61eV时具有27.4的最大值。在1.1–3.61eV的光子能量范围内，介电常数随光子能量的增加而增加，这表明损耗因子随该能量范围内光子能量的增大而增加。在3.61–6.01eV的光子能量范围内，复合电介质的实部随着光子能量的增加而减小，这表明损耗因子随着该能量范围内光子能量的增大而减小。

复介电常数的虚部在5.07eV处具有26.9的最大值。在2.6–5.07eV的光子能量范围内，复电介质虚部的增加表明，损耗因子随着该能量范围内光子能量的增加而增加。在光子能量范围5.07–6.01eV内，复介电常数的虚部随着光子能量的增加而减小，这表明损耗因子随着光子能量增加而减小。

图2 磷化镓（GaP）介电常数

3）透射率：在4.63eV处，透射率具有0.20的最大值，这表明GaP在该能量区域中不是电磁波的良好发射器。

图3 磷化镓（GaP）透射率

4）吸收系数：其最大值为2.24 x 10⁸ m^-1（22.4 x 104 cm^-1）。这种高的吸收系数值对于半导体中的带间吸收是典型的。GaP在其带隙以下没有表现出吸收。

图4 磷化镓（GaP）吸收系数

5）光电导率：光学电导率的实部在5.07eV处具有16.5 x 10¹⁵的最大值。在光子能量范围2.58–5.07eV内，光学电导率实部的增加可归因于该能量范围内吸收系数的增加。在1.3eV和2.58eV之间的低能量下，电导率为零，这意味着GaP在该能量范围内不导电；

光学电导率的虚部在3.61eV时最小值为-1.20 x 10¹⁶，在5.34eV时最大值为8.09 x 10¹⁵。光学电导率的虚部的负值是由于消光系数的增加，这意味着在该能量范围内GaP的电导率降低。

图5 磷化镓（GaP）光电导率

3. 磷化镓晶片应用

磷化镓用于制造低至中等亮度的低成本红色、橙色和绿色发光二极管 (LED)。在较高电流下，其寿命相对较短，并且在其使用寿命期间对温度敏感。它可以单独使用，也可以与砷化镓磷化物一起使用。

纯磷化镓发出波长为 555 nm 的绿光。掺杂氮的GaP发射波长为565 nm的黄绿光。掺杂氧化锌的GaP发射波长为700 nm的红光。对于红光和黄光，磷化镓是透明的，因此 GaAsP-on-GaP LED 比 GaAsP-on-GaAs LED 更好。

更多磷化镓（GaP)晶片信息或疑问，请邮件咨询：vp@honestgroup.cn

注：从2023年8月1日起，出口该产品需要出口许可证；国内供应不受影响