1300nm 激光外延生长
可供 1300nm 激光外延生长服务，该半导体激光器外延生长技术主要采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）法在 InP 衬底上外延，并生长 AlGaInAs 材料为量子阱，具体外延结构请参见下表。InGaAsP/InP 和 AlGaInAs/InP 量子阱材料体系已成为应用最广泛的增益介质。AlGaInAs/InP 材料的导带偏移比 InGaAsP/InP 更大，所以 AlGaInAs 激光芯片生长可以更有效地防止高温、高注入下流注的泄漏，提高激光器的高温特性。AlGaInAs/InP 量子阱材料在 1.3um 和 1.55um 激光结构中得到了广泛应用。
1. AlGaInAs 量子阱激光外延生长结构
规格1 1300nm 激光芯片外延材料
| 外延层 | 厚度 |
| InP | – |
| InGaAs | – |
| n-InP | – |
| n-InGaAsP | – |
| n-InP | – |
| InAlGaAs | – |
| InAlGaAs 量子阱 | – |
| InAlGaAs | – |
| InAlGaAs | – |
| p-InAlGaAs | – |
| p-InP | 1500nm |
| p-InGaAs | – |
| InP | – |
| InGaAs | – |
| InP | – |
| InP 衬底 | – |
规格2 1310nm 激光外延生长
| 外延层 | 厚度 |
| InP | – |
| InGaAs | – |
| InP | – |
| InP | – |
| InAlGaAs 量子阱（PL: 1280~1310nm) | – |
| InP | – |
| GaInAsP | – |
| InGaAs | 170nm |
| InP | – |
| InGaAs | – |
| InP | – |
| InP 衬底 | – |
2. AlGaInAs/InP半导体激光器外延生长工艺有何优势？
AlGaInAs/InP 量子阱材料是高温非制冷半导体激光器的理想材料，主要是由于 AlGaInAs 具有以下特性：
首先，AlGaInAs 只有一种五族元素，其生长质量更容易控制，从而获得良好的发光区性能；
其次，与带隙相同的 InGaAsP 材料相比，其折射率更高，使得 InP 半导体激光器不仅具有较大的电子限制，还具有更大的光学性质；
再次，AlGaInAs 量子阱与 InP 衬底具有张应变效应，这一效应能够为半导体激光器件提供更好的能带分离和增益水平；
最后，AlGaInAs/InP 量子阱的张应变效应能够改善材料的价带结构，减少俄歇复合率和价带吸收，提高透明载流子浓度和量子效率，使得外延激光器的温度特性大幅改善。
更多产品信息或疑问请邮件咨询：vp@honestgroup.cn